數(shù)據(jù)接口USB3.0時(shí)代即將到來(lái)

美國(guó)微芯科技（Symwave）宣布試制出了安裝有USB3.0物理層電路的LSI，并利用USB 3.0進(jìn)行了數(shù)據(jù)傳輸演示。演示設(shè)想的是將LSI用于相當(dāng)于外部記錄裝置等周邊設(shè)備的“元件”上。通過(guò)個(gè)人電腦等以收發(fā)為主的“主機(jī)”的底板向利用USB 3.0的該公司的元件底板傳輸數(shù)據(jù)。主控制器采用美國(guó)PLDA的試制底板，元件則采用Symwave試制的底板。以此強(qiáng)調(diào)了確保相互連接性。

設(shè)想通過(guò)Serial ATA（SATA）接口連接元件底板和硬盤(pán)向硬盤(pán)寫(xiě)入數(shù)據(jù),向硬盤(pán)傳輸數(shù)據(jù)的速度約為80MB/秒。USB3.0的速度是原USB2.0速度的10倍以上，盡管“達(dá)到了約200～300MB/秒的數(shù)據(jù)傳輸速度”（解說(shuō)員），但經(jīng)由使用的硬盤(pán)的SATA規(guī)格的速度僅為80MB/秒左右。此次已是第二次公開(kāi)USB3.0的物理層LSI和使用LSI的演示，不過(guò)使用硬盤(pán)的演示尚屬首次。主機(jī)和元件的通信采用了支持USB 3.0的試制連接線(xiàn)。

在元件底板上除物理層LSI以外，還配備了安裝有USB3.0鏈路層和協(xié)議層等的FPGA、以及SATA的物理層LSI。計(jì)劃投產(chǎn)時(shí)將這些芯片合一，制成USB3.0-SATA的橋接LSI。目標(biāo)是09年第三季度投產(chǎn)。“配備USB3.0接口的外置硬盤(pán)等最早要在09年底亮相”